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IRFP460N	文件：162.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460NPBF	文件：150.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterru	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460NPBF	文件：162.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460P	文件：174.81 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=20A) Description ThirdGenerationHEXFET®sfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevel	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460PBF	文件：881.77 Kbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,RepetitiveAvalancheRated,IsolatedCentralMountingHole,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements,Lead	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460PBF	文件：135.66 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460PBF	文件：1.27629 Mbytes Page：6 Pages	20A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply. Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-3P	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP460PBF	文件：1.96169 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel500V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFP460PBF	文件：203.58 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFV460	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	REPETITIVEAVALANCHERATEDANDdv/dtRATED	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRFP460C
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel C-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFP460C	onsemi(安森美)	24+	TO-3P	7814	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	IRFP460C	FAIRCHIL	23+	TO-3PTO	8600	全新原装现货	询价
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更多IRFP460C供应商更新时间2025-5-27 16:12:00

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