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IRFP27N60K规格书详情
描述 Description
HEXFET® Power MOSFETBenefits
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
技术参数
- 型号：
IRFP27N60K
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 27 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-3P |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-247-3 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
20+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-247-3 |
29565 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
1650 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
TO-247 |
3500 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO263 |
32360 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247-3 |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
9562 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
TO-247 |
20000 |
询价 |
