| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRIRFP264 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRFP264,全新原装,正品供应。 |
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17年
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IRTO-220 |
9800 |
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15年芯片行业经验/只供原装正品:13570885961邹小姐 |
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10年
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VISHAY/威世TO-247 |
6000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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17年
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VISHAYTO-247 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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3年
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InfineonTO247AC-3 |
8000 |
25+ |
原装,正品 |
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15年
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Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
25+ |
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Infineon(英飞凌)爆款特价现货IRFP260NPBF即刻询购立享优惠#长期有订 |
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15年
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Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
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7年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
21000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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4年
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INFINEONTO-247 |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情来电咨询 |
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3年
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infineonTO-247 |
600 |
25 |
绝对原装正品 |
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1年
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InfineonTO247AC-3 |
20000 |
26+ |
公司只有正品,实单来谈 |
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4年
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INFINEONTO247 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 |
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3年
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IR/INFINEONTO-247 |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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10年
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VISHAYTO-247 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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3年
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IR 墨西哥TO-247 |
79 |
19+ |
只做原装正品 |
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12年
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VISHAYTO-247 |
1500 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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13年
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VISHAY |
15800 |
26+ |
华南区总代 |
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13年
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INFINEONTO-247 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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7年
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VISHAY/威世TO247 |
5000 |
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IRFP260NPBF VIHHAY 半导体 深圳市中亿伟业电子有限公司
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IRFP26N60LPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFP260功能描述:MOSFET 46 Amps 200V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP260MPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP260N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247
IRFP260NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 50A 3PIN TO-247AC - Rail/Tube
IRFP260NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP260PBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 46 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP264功能描述:MOSFET N-Chan 250V 38 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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