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IRFP22N60K中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRFP22N60K规格书详情
特性 Features
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
技术参数
- 型号：
IRFP22N60K
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 22 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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NA/ |
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