| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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IRTO-247 |
6000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-247 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
26500 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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6年
留言
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160IR |
19 |
247 |
92 |
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11年
留言
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IRTO-247 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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IRTO-247 |
21350 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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12年
留言
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IR/INFINEONTO-247 |
5715 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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IRTO-247 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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13年
留言
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IRTO-247 |
7800 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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16年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
690 |
19+ |
原装现货 |
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2年
留言
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VISHAY |
3850 |
21+/22+ |
TO-247-3 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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5年
留言
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IRTO-247AC |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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2年
留言
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IRTO-247 |
6269 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
IRFP14采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFP14图片
IRFP140NPBF价格
IRFP140NPBF价格：￥4.4757品牌：International
生产厂家品牌为International的IRFP140NPBF多少钱，想知道IRFP140NPBF价格是多少？参考价：￥4.4757。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFP140NPBF批发价格及采购报价，IRFP140NPBF销售排行榜及行情走势，IRFP140NPBF报价。
IRFP140NPBF资讯
IRFP140NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFP140功能描述:MOSFET N-Chan 100V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140_R4941功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP1405功能描述:MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP1405PBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140A功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140N功能描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP140N_R4942功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140PBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP140R制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
