首页 >IRFIBC30G>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IRFIBC30G

HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A

Infineon

英飞凌

IRFIBC30GPBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    IRFIBC30G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220F
32000
INFINEON/英飞凌全新特价IRFIBC30G即刻询购立享优惠#长期有货
询价
IR
25+
TO-220
15000
全新原装现货,假一赔十.
询价
IR
05+
TO-220
4000
自己公司全新库存绝对有货
询价
IR
17+
TO220
6200
100%原装正品现货
询价
IR
24+
原厂封装
378
原装现货假一罚十
询价
IR
24+
TO220
40618
询价
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
询价
IOR
16+
TO-220
10000
全新原装现货
询价
VISHAY
24+
TO-220
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
询价
IR
23+
TO-220F
10000
专做原装正品,假一罚百!
询价
更多IRFIBC30G供应商 更新时间2025-11-20 18:55:00