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IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) •FastSwitching DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP360	文件：1.032369 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：343.84 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360LC	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360LC	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFI360
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 25A 3PIN TO-259AA - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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