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IRFR9120	文件：4.40688 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120	文件：4.28393 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120	文件：4.40685 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120	文件：321.56 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9120	文件：1.18471 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9120,SiHFR9120) •Straightlead(IRFU9120,SiHFU9120) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9120	文件：1.6735 Mbytes Page：5 Pages	-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vbs=-100V,Ip=-8A Rosin)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR9120	文件：1.59396 Mbytes Page：5 Pages	-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures VDS=-100V,ID=-8A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR9120	文件：298.86 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-5.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9120N	文件：883.59 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRFF9120
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 4A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -100V 4A TO-205
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF
功能描述：
Single P-Channel 100 V 20 W 16.3nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-4A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
600mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRFF9120	INTERSIL	24+	TO-39	522		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFF9120	HARRIS	24+	CAN3	1200	原装现货假一罚十	询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司	IRFF9120	IR	23+	CAN3	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价

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