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IRFR220	文件：1.42322 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFR220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR220A	文件：321.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR220B	文件：665.75 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR220B	文件：596.55 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-Channelenhancementmodepowerfieldeffect transistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRFR220BTM	文件：1.43474 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR220N	文件：132.73 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=600mohm,Id=5.0A) Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220N	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR220N	文件：3.73907 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRFF220
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 3.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 200V, 3.5A, TO-205AF, Transistor
Polarity：
N Channel, Continuous Drain Current
Id：
3.5A, Drain Source Voltage
Vds：
200V, On Resistance
Rds(on)：
800mohm, Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V, Threshold Voltage
Vgs：
4V, No. of
Pins：
3 , RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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