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IRFR120	文件：56 Kbytes Page：7 Pages	8.4A,100V,0.270Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR120	文件：179.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR120) •Str	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120	文件：321.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR120	文件：838.17 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR120,SiHFR120) •Straightlead(IRFU120,SiHFU120) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120	文件：1.38051 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR-120	文件：825.2 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120A	文件：373.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR120ATF	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRFF120
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 6A TO-
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
Single N-Channel 100 V 20 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39-3
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
6A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRFF120	INTERSIL	24+	TO-39	850		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFF120	INTERSIL	24+	CAN3	5000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	IRFF120	IR	24+	CN3	5000	只做原装公司现货	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	IRFF120	GE	23+		65480		询价

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