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IRFBF30L中文资料威世科技数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRFBF30L

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.03881 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 14:31:00

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IRFBF30L规格书详情

DESCRIPTION

Third generation MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universially preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    IRFBF30L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VishayIR
24+
TO-262
90
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VISHAY
24+/25+
TO-220AB
1000
原装正品现货库存价优
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