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IRFBC30AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche, and dynamic dv/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and Avalanche voltage and current;	Vishay 威世科技	Vishay
IRFBC30AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET Benefits\n● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement\n● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness\n● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current\n● Effective Coss specified (See AN 1001)	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IRFBC30AS
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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