选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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INFINEONTO-220 |
100000 |
2020+ |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB4227PBF)原装现货/假一罚十/可开增票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
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IRTO220 |
5000 |
23+ |
深圳市拓亿芯电子有限公司全新原装现货热卖。 |
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深圳市智芯远电子有限公司3年
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INFINEONTO-220 |
6000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
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INFINEONTO-220 |
3000 |
22+ |
原厂渠道商 市场低价买贵就赔 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-220 |
50000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRFB4321PBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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INFINEONTO-220 |
10000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP |
4000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-220 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEONNA |
37952 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON标准 |
25924 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEONSOP |
32320 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscTO-220 |
8000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市宏芯微科技有限公司9年
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INFINEONNA |
3000 |
22+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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INFINEONSOP |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9054 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-2 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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INFINEONSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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InfineonTO-220 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
IRFB4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFB4图片
IRFB4115PBF价格
IRFB4115PBF价格:¥11.5763品牌:INTERNATIONAL
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IRFB4321PBF资讯
IRFB4321PBF
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IRFB4110PBF原装现货价优
IRFB4110PBF原装现货价优
IRFB4410ZPBF
进口代理
IRFB4227PBF
IRFB4227PBF
IRFB4127PBF
原装正品现货
IRFB4115全新原装 场效应管(MOSFET)
类型:N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):104A功率(Pd):380W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,62A阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μAN沟道,150V,104A,11mΩ@10V
IRFB4321PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB4019PBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4020PBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4103PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB4110GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4110PBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4110QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4115GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4115PBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4127PBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4137PBF功能描述:MOSFET 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube