| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 |
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10年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情请来电咨询 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
12000 |
25+ |
原装,请咨询 |
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3年
留言
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InfineonNA |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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10年
留言
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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4年
留言
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Infineon /IRTO-220 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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16年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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11年
留言
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Infineon /IRTO-220 |
9485 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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7年
留言
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INFINEONTO-220 |
10000 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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11年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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12年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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15年
留言
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INFINEONTO-220 |
5000 |
24+ |
原装现正品可看现货 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
3000 |
25+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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13年
留言
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INFINEONTube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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12年
留言
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Infineon(英飞凌)管装 |
4724 |
全新原装正品现货可开票 |
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IRFB30图片
IRFB3077PBF价格
IRFB3077PBF价格:¥11.4221品牌:INTERNATIONAL
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IRFB3077PBF资讯
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF原装公司新到现货销售
全新原装公司现货数量:8500个,封装:TO-220 参数:零件状态 在售 FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 75V
IRFB3077PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB3004GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3004PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3006GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3006PBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3077GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3077PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB30N20D功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB





































