| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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19000 |
22+ |
原装正品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
88000 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
23098 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市九方航科技有限公司2年
留言
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IRTO220AB |
1000 |
23+ |
九方航一站式全线配单,秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
3488 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
9865 |
23+/24+ |
原盒原标 正品现货 价格美丽 终端BOM表可配单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
3430 |
21+ |
原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220AB |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
10000 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-220 |
60000 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
19467 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6396 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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IRFB3077PBF价格
IRFB3077PBF价格：￥11.4221品牌：INTERNATIONAL
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IRFB3077PBF资讯
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF原装公司新到现货销售
全新原装公司现货数量：8500个，封装：TO-220参数：零件状态在售 FET类型MOSFETN通道，金属氧化物 FET功能标准 漏源极电压（Vdss）75V
IRFB3077PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB3004GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3004PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3006GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3006PBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3077GPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3077PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB30N20D功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
