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IRFB3004PBF	文件：463.34 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Pow 文件：463.34 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3006PBF	文件：302.27 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching • Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Ava 文件：302.27 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3077GPBF	文件：296.92 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Worldwide Best RDS(on) in TO-220 ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectificati 文件：296.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3077PBF	文件：316.18 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Worldwide Best RDS(on) in TO-220 ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterrupti 文件：316.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3004	文件：340.43 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：340.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3004GPBF	文件：295.25 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：295.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3006	文件：339.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3006GPBF	文件：294.05 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：294.05 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3006PBF	文件：251.51 Kbytes Page：9 Pages	Hard Switched and High Frequency Circuits 文件：251.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFB3006PBF_15	文件：251.51 Kbytes Page：9 Pages	Hard Switched and High Frequency Circuits 文件：251.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFB30
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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