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厂商型号

IRF9610

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)

文件大小

161.49 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IRF

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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IRF9610规格书详情

描述 Description

The HEXFET technology is the key to international Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

• Dynamic dV/dt Rating

• P-Channel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

产品属性

  • 型号:

    IRF9610

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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