| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRTO-220 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF9540NPBF,欢迎咨询洽谈。 |
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4年
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IRTO 220 |
161405 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IRN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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17年
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IRTO220 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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6年
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Slkor/萨科微TO-220 |
50000 |
24+ |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
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14年
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FAIRCHILDTO-220 |
65400 |
23+ |
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14年
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500 |
25+ |
公司现货库存 |
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4年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
160000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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3年
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INFINEON/英飞凌原厂封装 |
10280 |
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原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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15年
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Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
25+ |
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Infineon(英飞凌)爆款特价现货IRF9540NPBF即刻询购立享优惠#长期有订 |
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15年
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Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
25+ |
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Infineon(英飞凌)爆款特价现货IRF9540NPBF即刻询购立享优惠#长期有订 |
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2年
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infineonTO-220 |
2600 |
25 |
绝对原装正品 |
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14年
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VISHAYTO-220 |
20000 |
24+ |
原装正品支持实单 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
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INFINEONTO-220 |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情来电咨询 |
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4年
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INFINEONTO263 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 |
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6年
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
22953 |
24+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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1年
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INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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3年
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VISHAYTO-220 |
2105 |
10+ |
只做原装正品 |
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6年
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INFINEONTO-220 |
16000 |
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全新原装公司现货 |
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IRF9540NSPBF价格
IRF9540NSPBF价格：￥2.1201品牌：INTERNATIONAL
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IRF9540NPBF资讯
IRF9540SPBF晶体管 表面贴装型 P 通道 100 V 19A（Tc） 3.7W（Ta）
IRF9540SPBF晶体管
IRF9540NSTRRPBF
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IRF9540PBF 正品原装现货
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IRF9540NPBF绝对全新原装现货
IRF9540NPBF绝对全新原装现货MOSFET
IRF9540NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9540功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_PDD功能描述:MOSFET Replaced by SFP9540/P-CH/100V/19A/0.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540L功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9540NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF9540NL功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540NPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540NS制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single P-Channel 100 V 3.8 W 97 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
