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MMJT9410	文件：95.57 Kbytes Page：4 Pages	BipolarPowerTransistors BipolarPowerTransistors NPNSilicon •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE =85(Min)@IC=1.0Adc =60(Min)@IC=3.0Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat) =0.2Vdc(Max)@IC=	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMJT9410	文件：74.09 Kbytes Page：5 Pages	BipolarPowerTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMJT9410G	文件：74.09 Kbytes Page：5 Pages	BipolarPowerTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MT9410	文件：1.00403 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCID9410	文件：441.77 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeedQuad-ChannelDigitalIsolator Description TheNCID9401,NCID9411,NCID9400andNCID9410are galvanicallyisolatedhigh−speedquad−channeldigitalisolatorwith outputenable.Thisdevicesupportsisolatedcommunicationsthereby allowingdigitalsignalstocommunicatebetweensystemswithout conductinggroundloopsorhaza	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCIV9410	文件：441.77 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeedQuad-ChannelDigitalIsolator Description TheNCID9401,NCID9411,NCID9400andNCID9410are galvanicallyisolatedhigh−speedquad−channeldigitalisolatorwith outputenable.Thisdevicesupportsisolatedcommunicationsthereby allowingdigitalsignalstocommunicatebetweensystemswithout conductinggroundloopsorhaza	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS9410	文件：230.94 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410A	文件：230.94 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410A-NL	文件：1.08619 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS9410-NL	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
IRF9410
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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