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IRF830S	文件：175.73 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF830S	文件：2.01524 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=500V ●ID=4.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF830S	文件：800.89 Kbytes Page：8 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2PAK(TO-263)issuitableforhighcurrentapplicationsbecause	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830S	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830S	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830SPBF	文件：329.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830SPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830STRLPBFA	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830STRRPBF	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFHM830	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF830ASTRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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