IRF830中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF830
功能描述	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
文件大小	122.44 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
中文名称	新泽西半导体新泽西半导体公司
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更新时间	2025-12-10 20:14:00
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IRF830规格书详情

描述 Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high spaed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.

• VGS Rated at ± 20V

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds

• IDSS. VDs(on), SOA and VQS(ih) Specified at Elevated Temperature

• Rugged

产品属性

型号：
IRF830
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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