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IRF7807VD2PbF数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
IRF7807VD2PBF
- 功能描述:
MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 | ||
IR |
17+ |
SOP8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
询价 | |||
IR |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
IR |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
1923+ |
SOP8 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
5000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOP8 |
65480 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOP8 |
9562 |
询价 |