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IRF7805QPBF数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7805QPBF

功能描述

HEXFET® Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-24 17:30:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF7805QPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 13A 11 mOhm Automotive MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
8
12
115
询价
IR
22+
SOIC-8
8000
原装正品支持实单
询价
IR
24+
SO-8
7500
询价
IR
17+
SOP8
6200
100%原装正品现货
询价
IR
25+
12
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
IR
23+
SOIC-8
38277
原装正品,假一罚十
询价
IR
23+
SOP-8
7000
询价
Infineon Technologies
2022+
8-SOIC(0.154
38550
询价
VISHAY
24+
SOP-8
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
询价
IR
1923+
SOP8
5000
正品原装品质假一赔十
询价