IRF7807V中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书
IRF7807V规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 快速开关
• 纤薄外形(小于1.1毫米)
• SOT-23 封装
技术参数
- 制造商编号
:IRF7807V
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:SO-8
- VDS max
:30.0V
- RDS (on)(@4.5V) max
:25.0mΩ
- Polarity
:N
- ID (@ TA=70°C) max
:6.6A
- ID (@ TA=25°C) max
:8.3A
- Ptot(@ TA=25°C) max
:2.5W
- QG
:9.5nC
- RthJA max
:50.0K/W
- Mounting
:SMD
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Qgd
:2.4nC
- VGS max
:20.0V
- Tj max
:150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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