IRF7807V中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书
IRF7807V规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 快速开关
• 纤薄外形（小于1.1毫米）
• SOT-23 封装
技术参数
- 制造商编号
：IRF7807V
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：SO-8
- VDS max
：30.0V
- RDS (on)(@4.5V) max
：25.0mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：6.6A
- ID (@ TA=25°C) max
：8.3A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.5W
- QG
：9.5nC
- RthJA max
：50.0K/W
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：2.4nC
- VGS max
：20.0V
- Tj max
：150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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