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IRF7509PBF-1中文资料30V 1N-1P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 Micro -8封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7509PBF-1

功能描述

30V 1N-1P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 Micro -8封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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IRF7509PBF-1规格书详情

特性 Features


优势:
• 工业标准引出线 Micro-8 封装
• 与现有表面封装技术兼容
• 符合 RoHS , 无卤素
• 符合MSL1,工业认证

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7509PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :200.0mΩ

  • RDS (on) max

    :200.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :400.0mΩ

  • Polarity 

    :N+P

  • ID (@ TA=70°C) max

    :2.1A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :2.7A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :7.8nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :2.5nC 

  • RthJA max

    :100.0K/W

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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