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IRF7476中文资料12V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7476

功能描述

12V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:58:00

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IRF7476规格书详情

特性 Features


优势:
• 超低的栅极阻抗
• 非常低的RDS(on)
• 经过充分验证的雪崩电压和电流

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7476

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :12.0V

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :8.0mΩ

  • RDS (on)(@2.7V) max

    :30.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :12.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :15.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :26.0nC 

  • RthJA max

    :50.0K/W

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • VGS max

    :12.0V

  • Qgd 

    :11.0nC 

  • Tj max

    :150.0°C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2016+
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IR
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