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KRF7460	文件：76.14 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NX7460LE	文件：61.54 Kbytes Page：8 Pages	1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX7460LE	文件：97.38 Kbytes Page：12 Pages	1510nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX8501Seriesisa1510nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodewithsinglemodefiber. TheMultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof0to+65°C. Itisdesigned	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX7460LE	文件：65.71 Kbytes Page：12 Pages	InGaAsPSTRAINEDDC-PBHLASERDIODEMODULE1625nmTELEMETRYAPPLICATION DESCRIPTION TheNX7660JCisa1625nmnewlydevelopedStrainedMultipleQuantumWell(St-MQW)structurelaserdiodeDIPmodulewithsinglemodefiberandinternalthermoelectriccooler.Itisdesignedforlightsourcesoftelemetryequipment. FEATURES •OutputpowerPf=5mWMIN.@IF=65mA	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX7460LE	文件：207.01 Kbytes Page：10 Pages	LASERDIODE 1480nmEDFAAPPLICATION InGaAsPMQW-FPLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedoptical FiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.ThedeviceisaMultiple Qu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX7460LE-BA	文件：207.01 Kbytes Page：10 Pages	LASERDIODE 1480nmEDFAAPPLICATION InGaAsPMQW-FPLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedoptical FiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.ThedeviceisaMultiple Qu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX7460LE-BA	文件：61.54 Kbytes Page：8 Pages	1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX7460LE-CA	文件：61.54 Kbytes Page：8 Pages	1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX7460LE-CA	文件：207.01 Kbytes Page：10 Pages	LASERDIODE 1480nmEDFAAPPLICATION InGaAsPMQW-FPLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedoptical FiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.ThedeviceisaMultiple Qu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SI7460DP	文件：500.59 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel60-V(D-S)FastSwitchingMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF7460
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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