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SN7460	文件：154.67 Kbytes Page：4 Pages	DUAL4-INPUTEXPANDERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SN7460J	文件：154.67 Kbytes Page：4 Pages	DUAL4-INPUTEXPANDERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SN7460N	文件：154.67 Kbytes Page：4 Pages	DUAL4-INPUTEXPANDERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SSP7460N	文件：167.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TAT7460	文件：596.16 Kbytes Page：8 Pages	755V502600MHzRFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TAT7460-EVB	文件：596.16 Kbytes Page：8 Pages	755V502600MHzRFAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint

详细参数

型号：
IRF7460
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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