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厂商型号

IRF744

功能描述

HEXFET POWER MOSFET

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207.63 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

IRF

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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IRF744规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

* Dynamic dv/dt Rating

* Repetitive Avalanche Rated

* Fast Switching

* Ease of Paralleling

* Simple Drive Requirements

产品属性

  • 型号:

    IRF744

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/VISHAY
24+
NA/
35615
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TO-220
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24+
TO-220AB
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