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IRF7410G中文资料采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 -12V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7410G

功能描述

采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 -12V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7410G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :-12.0V

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :7.0mΩ

  • RDS (on)(@2.5V) max

    :9.0mΩ

  • RDS (on)(@1.8V) max

    :13.0mΩ

  • Polarity 

    :P

  • ID (@ TA=25°C) max

    :-16.0A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :-13.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :91.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • RthJA max

    :50.0K/W

  • VGS max

    :8.0V

  • Qgd 

    :25.0nC 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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