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IRF7325规格书详情
描述 Description
New P-Channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual P-Channel MOSFET
● Low Profile (<1.8mm)
● Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
IRF7325
- 功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
HEXFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1591 |
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询价 | ||
IR |
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SOP8 |
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ir |
25+ |
500000 |
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IR |
25+ |
SOP-8 |
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IR |
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SOP-8 |
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IR |
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NA |
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IOR |
25+ |
SOP-8 |
3200 |
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IOR |
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SOP8 |
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询价 |
