IRF730中文资料N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 400V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 5.5A.数据手册GESS规格书

厂商型号	IRF730
功能描述	N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 400V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 5.5A.
制造商	GESS GE Solid State
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 19:24:00
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