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KDR720S

SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE(FORHIGHSPEEDSWITCHINGCIRCUIT,FORSMALLCURRENTRECTIFICATION)

Forhighspeedswitchingcircuit. Forsmallcurrentrectification. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.55V(Max). •IO=200mArecificationpossible. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR720S-RTK/HU

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KDR720UL

SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE

LOWCURRENTRECTIFICATIONANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KDR720V

LOWCURRENTRECTIFICATIONANDHIGHSPEEDSWITCHING

LOWCURRENTRECTIFICATIONANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KIT-720

CCS-720DCampusSwitches

ARISTA

Arista Networks, Inc

KM720N

10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils

FRONTIER

Frontier Electronics

KM720N

10mmADJUSTABLERFCOILS(UNSHIELDED)

FRONTIER

Frontier Electronics

KM720N-LFR

10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils

FRONTIER

Frontier Electronics

LB720Z

GREENOVALLAMPLED

GREENOVALLAMPLED

SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd.

首尔半导体首尔半导体有限公司

LC720Z

GREENOVALLAMPLED

GREENOVALLAMPLED

SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd.

首尔半导体首尔半导体有限公司

LG720Z

GREENOVALLAMPLED

GREENOVALLAMPLED

SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd.

首尔半导体首尔半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRF720STRR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF720STRR供应商 更新时间2025-7-13 9:17:00