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IRFS720	文件：318.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720A	文件：264.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS720B	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRM-720	文件：116.93 Kbytes Page：1 Pages	ImageRejectionMixers	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
KDR720E	文件：410.97 Kbytes Page：7 Pages	WhiteLEDStep-UpConverter WhiteLEDStep-UpConverter TheKAB3403T/DNisamonolithicstep-upDC/DCconverterspecificallydesignedtodrivewhiteLEDswithaconstantcurrentfromLi-ioncell.Relativelarge320mVfeedbackvoltage&itshighaccuracyhelpyousettingLEDcurrentwithaexternalresistor. KAB3403T/D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720E	文件：363 Kbytes Page：1 Pages	ESCPACKAGE Forhighspeedswitchingcircuit. Forsmallcurrentrectification. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.55V(Max). •IO=200mArecificationpossible. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR720E-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720EL	文件：399.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE LOWCURRENTRECTIFICATION ANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR720F	文件：27.3 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE LOWCURRENTRECTIFICATION ANDHIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage. •HighReliability. •SmallPackage. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDR720F-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
IRF720STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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