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IRF7171M数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7171M

功能描述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MN 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IRF7171M规格书详情

特性 Features


优势:
• 高性能隔离式转换器初级开关的理想选择
• 针对同步整流进行优化
• 符合 RoHS , 无卤素
• 无铅(质量合格,回流温度高达260°C)
• 低通态损耗
• 高 Cdv/dt 抗干扰能力
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却兼容
• 与现有表面封装技术兼容
• 工业标准合格
• FastIRFET™
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7171M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :100.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.5mΩ

  • RDS (on) max

    :6.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :59.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :59.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :93.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.1W

  • Ptot max

    :104.0W

  • QG 

    :36.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Qgd 

    :13.0nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • RthJC max

    :1.2K/W

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