IRF640数据手册DC Components中文资料规格书
技术参数
- 型号:
IRF640
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
TO220/ |
2255 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | |||
IOR |
17+ |
TO220/ |
9988 |
只做原装进口,自己库存 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
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原装IR |
TO220 |
15620 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ST |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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全新原装 研究所指定供货商 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
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