IRF630STRR技术资料参数市场行情第3页-114ic电子网

首页 >IRF630STRR>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRL630	文件：324.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,RdS(on)=0.40ohm,Id=9.0A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630	文件：494.48 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRL630	文件：1.18626 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630	文件：895.86 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630A	文件：224.31 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.335Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL630A	文件：280.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL630PBF	文件：1.33919 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL630PBF	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630S	文件：352.22 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableo	IRF International Rectifier	IRF

<<<1 234 5 6 >>>

详细参数

型号：
IRF630STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	IRF630STRR	IR	24+	TO-263	64	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF630STRR	IR	01+	原厂原装	10400	全新原装绝对有货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRF630STRR	IR	17+	TO-263	6200		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRF630STRR	IR	24+	原厂封装	3050	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRF630STRR	IR	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRF630STRR	IR	25+23+	TO-263	28485	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IRF630STRR	IR	23+	TO-263	30000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRF630STRR	VISHAY	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRF630STRR	IR	1923+	TO-263	6896	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF630STRR	IR	23+	TO263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IRF630STRR供应商更新时间2025-7-15 16:36:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号