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IRL630PBF	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630S	文件：352.22 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableo	IRF International Rectifier	IRF
IRL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •150°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630SPBF	文件：1.55025 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableof	IRF International Rectifier	IRF
IRL630SPBF	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630STRLPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630STRRPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLHM630	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF630STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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