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IRL630SPBF

文件：1.55025 Mbytes

Page：9 Pages

HEXFETPowerMOSFET

VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableof

IRF

International Rectifier

IRF

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详细参数

型号：
IRF630NSTRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF630NSTRL供应商更新时间2025-7-14 20:32:00

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