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IRF6150数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF6150

功能描述

HEXFET Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:42:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF6150

  • 功能描述:

    MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
BGA
8000
原装正品支持实单
询价
IR
24+
SMD
10200
新进库存/原装
询价
IR
17+
DIRECTF
6200
100%原装正品现货
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Infineon Technologies
2022+
16-FlipFet?
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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Infineon Technologies
23+
原装
7000
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BGA
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