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POWERMOSFETN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.058ohm,Id=18A*) FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconunitarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown | IRF International Rectifier | IRF |
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