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MCH5803	文件：48.34 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-ChannelSilliconMOSFET(MCH3408)andaSchottkyBarrierDiode(SBS006M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5803N	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5803N	文件：111.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,76A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5803NG	文件：111.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,76A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5803	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5803N	文件：260.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5803N	文件：106.47 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,85A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5803N	文件：77.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P5803NAG	文件：1.12771 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P5803NAG	文件：468.63 Kbytes Page：8 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC

详细参数

型号：
IRF5803TRPB
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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