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NTE5803	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5803N	文件：106.47 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,85A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5803N	文件：260.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5803N	文件：77.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P5803NAG	文件：1.12771 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P5803NAG	文件：468.63 Kbytes Page：8 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PT5803	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT5803	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SM5803	文件：2.04162 Mbytes Page：16 Pages	Multi-functionDigitalFilterforDigitalAudio OVERVIEW TheSM5803AP/APTisamulti-functiondigitalfilterfordigitalaudiofabricatedusingNPCsoriginalmolybdenum-gateCMOStechnology.	NPC Nippon Precision Circuits Inc	NPC
SM5803A	文件：251.68 Kbytes Page：3 Pages	Type-CMulti-cellNVDCBuck-BoostCharger Features NVDCmulti-cellbatterycharger oHighefficiencybuck-boostarchitectureintegratesfourpowerFETs(twohalfbridges) oCharges1Sto4Sbatterysystems o>95efficiency@5A(VBUS15V,VBAT8V) o4Vto21.5VVBUSinput(sinkmode)compliant,upto6Aoutputcurrent oMaxoutput	SILICONMITUSSilicon Mitus, Inc. 矽致微电子矽致微电子有限公司	SILICONMITUS

详细参数

型号：
IRF5803D
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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