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LV5803M	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	Bi-CMOSICStep-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV5803M	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV5803M-TE-L-E	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MAX5803	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5803ATB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5803AUB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH5803	文件：48.34 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-ChannelSilliconMOSFET(MCH3408)andaSchottkyBarrierDiode(SBS006M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5803N	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5803N	文件：111.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,76A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5803NG	文件：111.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,76A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IRF5803D
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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