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IRFI540G	文件：184.27 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540G	文件：532.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI540G	文件：319.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.077Ω(MAX) •Enhancementmode:Vth=2to4V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI540G	文件：1.48447 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI540G	文件：1.06707 Mbytes Page：7 Pages	SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFI540GPBF	文件：1.60547 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
IRF540NSTRR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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