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IRFI540A	文件：232.82 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI540A	文件：274.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI540G	文件：184.27 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540G	文件：532.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI540G	文件：319.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.077Ω(MAX) •Enhancementmode:Vth=2to4V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFI540G	文件：1.06707 Mbytes Page：7 Pages	SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI540G	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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