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IRF540NSTRPBF	文件：1.84856 Mbytes Page：8 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF540NSTRLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF540NSTRRPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540PBF	文件：2.15994 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi	IRF International Rectifier	IRF
IRF540PBF	文件：1.90441 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540PBF	文件：6.94774 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF540S	文件：86.08 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor VDSS=100V ID=23A RDS(ON)≤77mΩ GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.t	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF540S	文件：176.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540S	文件：1.04376 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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