IRF520中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs数据手册Microchip规格书
技术参数
- 型号：
IRF520
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
161301 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
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21+ |
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IR |
22+ |
TO-220 |
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IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
100000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
原装现货假一罚十 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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询价 |
