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IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR3710ZTRLPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFR3710ZTRPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3710ZSTRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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