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IRFI3710	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：132.03 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.028ohm,Id=45A) 100Volt,0.028Ω,HEXFET Generation5HEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETsarewellknown,prov	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：46.66 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710PBF	文件：234.89 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3710ZSTRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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