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IRLI3705NPBF	文件：1.3687 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705Z	文件：286.6 Kbytes Page：11 Pages	SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705Z	文件：335.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3705ZPBF	文件：349.54 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705ZPBF	文件：346.53 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3705Z	文件：286.6 Kbytes Page：11 Pages	SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3705Z	文件：247.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3705ZPBF	文件：349.54 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
L3705N	文件：979.82 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LM3705	文件：315.76 Kbytes Page：17 Pages	MicroprocessorSupervisoryCircuitswithPowerFailInput,LowLineOutputandManualReset	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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